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标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

作     者:潘达杉 黄金明 冯勇 闵昊 PAN Da-shan;HUANG Jin-ming;FENG Yong;MIN Hao

作者机构:专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学上海 上海高性能集成电路设计中心上海201204 

基  金:2013年核高基“超级计算机处理器研发”课题(2013ZX01028-001-001-001) 国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA010404) 国际科技合作项目(2010DFB13040) 

出 版 物:《湖南大学学报(自然科学版)》 (Journal of Hunan University:Natural Sciences)

年 卷 期:2015年第42卷第8期

页      码:94-99页

摘      要:正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.

主 题 词:QVCO phase noise CMOS工艺 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录:

D O I:10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2015.08.015

馆 藏 号:203351348...

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