SRAM中器件参数的设计方法

作     者：徐政 李红征 赵文彬 XU Zheng;LI Hongzheng;ZHAO Wenbin

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2015年第15卷第11期

页      码：43-47页

摘      要：为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题,首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型,使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数,然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度,比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例,计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度,得出SNFP工艺角为最优工艺条件,对于1.2 V电源电压,驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

主 题 词：静态随机存储器 参数匹配 工艺角 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0124

馆 藏 号：203351462...