电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

作     者：苏昱 朱钧 陈宇川 潘立阳 刘志弘 SU Yu;ZHU Jun;CHEN Yu-chuan;PAN Li-yang;LIU Zhi-hong

作者机构：清华大学微电子所北京100084 

基　　金：国家九五科技攻关项目&& 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2001年第22卷第1期

页      码：69-73页

摘      要：FL ASH在擦操作的过程中 ,带带隧穿产生的空穴注入将会在 Si O2 / Si O2 界面和氧化层中产生带电中心 (包括界面态和陷阱 ) ,影响电路的可靠性 .利用电荷泵方法 ,通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布 ,为 FL ASH单元设计与改进可靠性 。

主 题 词：带带隧穿 电荷泵法 界面损伤 FLASH存储器 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2001.01.013

馆 藏 号：203355442...