光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究

作     者：莫秋燕 赵彦立 Mo Qiu-Yan Zhao Yan-Li  (Optoelectronic Science and Engineering of Huazhong University of Science,National Laboratory for Optoelectronics,Wuhan 430074,China)

作者机构：华中科技大学光电子科学与工程学院武汉光电国家实验室武汉430074 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA01Z207) 湖北省自然科学基金(批准号:2010CDB01606) 华为公司创新研究计划(批准号:YJCB2010032NW) 教育部留学归国基金资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第7期

页      码：195-204页

摘      要：吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管(SACM-APD),包括InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs和Si/GeAPD是光通信领域近年来研究的热点.本文基于电路模型,系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性,重点探讨Si/GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响,仿真结果与实际器件实验数据相符合.本文的研究成果对SACM-APD的优化设计具有指导意义.

主 题 词：SACM-APD 电路模型 频率响应 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203357547...