纳米存储器的多值逻辑设计研究

作     者：周少华 熊琦 杨红官 曾云 ZHOU Shaohua;XIONG Qi;YANG Hongguan;ZENG Yun

作者机构：湖南工程职业技术学院湖南长沙410151 湖南大学湖南长沙410015 

基　　金：湖南省自然科学基金资助项目(06JJ2085) 湖南省教育厅科学研究基金资助项目(07D025 08D042) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2009年第32卷第16期

页      码：167-168,170页

摘      要：为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度。

主 题 词：多值逻辑设计 存储矩阵 几何级减小 信息密度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2009.16.034

馆 藏 号：203357623...