真空微电子压力传感器的研制

作     者：温志渝 温中泉 徐世六 刘玉奎 张正元 陈刚 杨国渝 

作者机构：重庆大学光电工程学院重庆400044 中国电子科技集团第 2 4研究所模拟集成电路重点实验室 

基　　金："863"MEMS重大专项(2002AA404080)资助课题 教育部科学技术研究重大项目(0216)资助课题 重庆市"十五"攻关项目资助课题 微米/纳米加工技术国家重点实验室基金资助课题 国防科技模拟集成电路实验室资助课题 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2004年第12卷第6期

页      码：603-607页

摘      要：提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2,起始发射电压为0.5～1V,反向电压≥25V,当正向电压为5V时,单尖发射电流为0.2nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa。

主 题 词：压力传感器 过载保护 场致发射阴极锥尖阵列 各向异性腐蚀 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1004-924X.2004.06.010

馆 藏 号：203362327...