VDMOS功率场效应器件的设计与研制

作     者：廖太仪 

作者机构：中国科学院微电子中心 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1990年第6卷第5期

页      码：29-35页

摘      要：VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。

主 题 词：VDMOS功率 场效应器件 研制 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1990.05.007

馆 藏 号：203362758...