改进工艺的1000A/2500V逆阻型GTO

作     者：张昌利 陈治明 

作者机构：西安电力电子技术研究所 西安理工大学 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1997年第13卷第4期

页      码：39-42页

摘      要：论述了１０００Ａ、２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管（ＧＴＯ）的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化（ＴＣＥ）、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化，从而获得了具有优良开关特性的ＧＴＯ元件。

主 题 词：电力半导体器件 可关断晶闸管 大功率 逆阻型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1997.04.010

馆 藏 号：203363300...