GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片

作     者：蒋东铭 陈新宇 杨立杰 黄子乾 JIANG Dongming;CHEN Xinyu;YANG Lijie;HUANG Ziqian

作者机构：南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2013年第33卷第1期

页      码：37-41页

摘      要：采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。

主 题 词：毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2013.01.008

馆 藏 号：203365586...