基于PFM控制Boost型DC-DC变换器的带隙基准源

作     者：王宇星 朱波 Wang Yuxing;Zhu Bo

作者机构：无锡科技职业学院江苏无锡214028 新硅微电子有限公司江苏无锡214028 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第10期

页      码：737-742页

摘      要：基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路。采用韩国Dongbu 0.35μm BCD工艺进行仿真分析并且流片成功。经过理论分析和仿真模拟,结果表明在-50~125℃条件下,当Vin=3.65 V,温度系数为33×10-6/℃,低频环路增益为30 dB,增益带宽（GBW）为20 kHz,相位裕度为88°,低频下电源抑制比（PSRR）为-90 dB,电源电压在3~5 V变化时,基准输出变化了0.37 mV/V。带隙基准电压源结构简单、电压稳定性好,实测数据符合芯片系统要求,并已用于实际产品的批量生产。

主 题 词：CMOS带隙基准源 BCD工艺 温度系数(TC) 升压型DC-DC转换器 电源抑制比(PSRR) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.004

馆 藏 号：203366429...