公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性

作     者：杨国强 肖沙里 马跃东 张流强 曹玉琳 陈宇晓 Yang Guoqiang;Xiao Shali;Ma Yuedong;Zhang Liuqiang;Cao Yulin;Chen Yuxiao

作者机构：重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室重庆400044 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 

基　　金：国家自然科学基金项目(61274048) 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金项目(10876044) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2015年第27卷第7期

页      码：267-271页

摘      要：使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器。通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应。结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除"空穴拖尾",能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差。在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662keV的137Cs放射源的最佳能量分辨率3.80%和峰谷比5.65。适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性。过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化。在像素宽度为0.8mm时最佳偏压为-60V。

主 题 词：CdZnTe 半导体探测器 公共格栅像素结构 小像素效应 能量分辨率 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/hplpb201527.076001

馆 藏 号：203366703...