PECVD变结构腔室压力分布规律研究

作     者：黄尊地 杨铁牛 常宁 周玉林 Huang Zundi;Yang Tieniu;Chang Ning;Zhou Yulin

作者机构：五邑大学轨道交通学院江门529020 五邑大学机电工程学院江门529020 

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2011ZX02403-004) 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2015年第35卷第9期

页      码：1149-1156页

摘      要：在真空半导体产业发展过程中,决定产品质量的关键因素是生产工艺过程的参数控制,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中比较重要的一个参数为腔室内压力值。通过变结构腔室压力测量试验验证,得到正确可行的针对变结构腔室三维模型的网格剖分方法和仿真算法。影响腔室内压力分布的四个变量中,依次改变粘滞阻力系数、入口初始压力、入口流量和排气口压力的大小,分析计算腔室内压力分布特性。变结构腔室中压力分布规律,为PECVD腔室结构设计及腔室压力控制提供理论依据。

主 题 词：真空半导体 离子体增强化学气相沉积 变结构腔室 压力分布 

学科分类：08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13922/j.cnki.cjovst.2015.09.20

馆 藏 号：203366812...