深亚微米工艺下互连线的串扰建模

作     者：彭嵘 孙玲玲 

作者机构：杭州电子工业学院电子信息分院浙江杭州310037 

基　　金：国家863计划(90207007) 浙江省自然科学基金(ZD0015) 

出 版 物：《杭州电子工业学院学报》 (Journal of Hangzhou Institute of Electronic Engineering)

年 卷 期：2003年第23卷第4期

页      码：28-32页

摘      要：深亚微米工艺下互连串扰问题成为IC设计中的"瓶颈"。在充分考虑互连线的电容耦合效应和电感耦合效应的前提下,提出了一种有效估算互连串扰噪声的方法。实验数据表明,该方法能有效估算各种工艺下的互连串扰,并能应用于不均匀互连线的情况,在效率和精度上达到了较好的折中。

主 题 词：深亚微米工艺 互连线 串扰 IC设计 电容耦合效应 电感耦合效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-9146.2003.04.008

馆 藏 号：203367414...