40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究

作     者：丁文华 智晶 刘琦 单长玲 常婷婷 

作者机构：西安卫光科技有限公司陕西西安710065 

出 版 物：《科学技术创新》 (Scientific and Technological Innovation)

年 卷 期：2018年第26期

页      码：170-171页

摘      要：低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。

主 题 词：低压P沟 结构优化 仿真模拟 技术参数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203368453...