宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列(英文)

作     者：杨柳风 王婷 Yang Liufeng;Wang Ting

作者机构：北京理工大学机电学院机电工程与控制国家级重点实验室北京100081 

基　　金：supported by Beijing Higher Education Young Elite Teacher Project(YETP1203) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2015年第27卷第2期

页      码：155-159页

摘      要：针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。

主 题 词：微带天线 MEMS 硅 缺陷地 抗干扰 

学科分类：080904[080904] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/hplpb201527.024129

馆 藏 号：203372426...