一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现

作     者：郑鲲鲲 胡二虎 汪东旭 

作者机构：上海交通大学电子工程系上海200030 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2003年第20卷第5期

页      码：49-50,75页

摘      要：本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40～85℃)变化小于3%。

主 题 词：工艺参数 CMOS集成电流源 设计方法 电流源电路 数字集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-7180.2003.05.014

馆 藏 号：203372985...