基于CMOS工艺的抗光噪声神经微电极

作     者：王飞 张雪莲 裴为华 陈弘达 WANG Fei;ZHANG Xuelian;PEI Weihua;CHEN Hongda

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学北京100049 中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心上海200000 

基　　金：纳米科技重点研发计划项目(2017YFA0205903 2016YFB0401303 2016YFB0402405) 国家自然科学基金项目(61634006 61335010 61671424) 上海科技委基础研究项目(16JC1400101) 青年千人科研启动项目(Y57E040000) 中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDY-SSW-JSC004 XDA16020902) 北京市科技计划任务项目(Z161100002616019) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2018年第39卷第5期

页      码：671-674页

摘      要：为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声。阐述了基于CMOS工艺的神经电极结构设计、制备过程与结构表征,并对所制备的神经电极进行了电化学阻抗测试和光噪声测试。该神经电极宽度仅为70μm,实验证明:1kHz频率下电极的阻抗一致性好,且在1mW/mm2的光遗传常用光辐照下,该电极的噪声电压仅为0.07~0.08mV,远低于传统硅电极12~13mV的噪声幅值。结果表明,基于CMOS工艺的神经电极抗光噪声能力远优于传统硅电极,对硅基微电极在光遗传中的应用具有重要意义。

主 题 词：CMOS工艺 神经微电极 光噪声 电极宽度 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.013

馆 藏 号：203373714...