100V,180A槽栅MO SFET设计和工艺研究

作     者：丁文华 陈骞 刘琦 田欢 单长玲 

作者机构：西安卫光科技有限公司陕西西安710065 

出 版 物：《科学技术创新》 (Scientific and Technological Innovation)

年 卷 期：2018年第27期

页      码：164-165页

摘      要：对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本文针对电压100V、电流180A、导通电阻6.4mΩ的功率MOSFET器件,着重研究了槽栅MOSFET的关键设计和工艺技术,同时利用仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品最终流片、封测结果:技术参数达到了设计要求,并且可以替代国外同类型号产品。

主 题 词：槽栅结构 工艺流程 关键技术 器件仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203377092...