一种2.45GHz高线性度CMOS功率放大器设计

作     者：李聪 任志雄 万美琳 韩爽 戴葵 LI Cong;REN Zhi-xiong;WAN Mei-lin;HAN Shuang;DAI Kui

作者机构：华中科技大学光学与电子信息学院湖北武汉430074 

基　　金：湖北省自然科学基金(ZRZ0051) 武汉市科技攻关重点项目(20115069919) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2015年第32卷第4期

页      码：65-69页

摘      要：设计了一种带电容补偿的2.45GHz高线性度、低功耗CMOS功率放大器(PA).电路设计采用了差分结构,工作在AB类放大状态下.驱动级采用共源共栅结构,为下一级提供大的电压输出摆幅,功放级采用共源结构,负载采用LC谐振网络,提供大的输出功率.此外,设计从MOS管级对PA进行了优化,提出了PMOS管电容补偿技术,通过补偿栅源电容(Cgs),使得三阶交调失真(IMD3)减小了10dBc,从而提高了PA的线性度,并实现低功耗.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计仿真,结果表明:在2.45GHz工作点处,PA的输入反射系数小于-20dB,功率增益为25dB,功率附加效率(PAE)为27%,三阶交调失真小于-42dBc.

主 题 词：功率放大器 射频 三阶交调失真 线性度提高 电容补偿 低功耗 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2015.04.014

馆 藏 号：203377549...