器件集成电路单粒子效应概论

作     者：张鑫 

作者机构：大唐南京环保科技有限责任公司江苏南京211111 

出 版 物：《科技创新与应用》 (Technology Innovation and Application)

年 卷 期：2018年第8卷第30期

页      码：11-12页

摘      要：文章主要写的是芯片存储电路单粒子效应概论,对单粒子效应增加稳定性的方法在芯片存储电路中产生的效应及解决方法进行了调研,外部强磁环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集,引发单粒子效应。文章针对单粒子效应对电信号的危害,从单粒子效应的建模进行了深入探究。文章主要对一些新型的解决方法给予论述:(1)SEU加固的存储单元结构。(2)电荷共享收集以及对存储单元的影响。完成了从逻辑设计、版图设计以及投片的完整流程。

主 题 词：单粒子翻转 单粒子瞬态 绝缘体上硅 抗辐照加固 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203377589...