一种用于评估抗辐射DSP单粒子翻转的试验方法

作     者：王月玲 薛海卫 郭刚 雷志军 史淑廷 刘建成 WANG Yue-ling;XUE Hai-wei;GUO gang;LEI Zhi-jun;SHI Shu-ting;LIU Jian-cheng

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 中国原子能科学研究院北京102413 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2018年第35卷第10期

页      码：53-57页

摘      要：本文提出了评估DSP电路单粒子翻转效应的试验方法,该方法包含单独静态检测SRAM、通过CPU读取内部寄存器和功能检测等三种方式.根据该方法,设计了DSP电路的单粒子翻转检测软件系统和硬件检测系统,并在HI-13串列重离子加速器上进行了单粒子翻转验证试验,获得了待测DSP器件的地面模拟翻转率数据.利用在轨错误率计算软件,计算出在标准辐照注量(1.0E+7icons/cm2)下电路的SEU在轨软错误率约为1.8E-12错误/位天(GEO,等效3mm Al屏蔽),运用该方法可以较好的评估DSP电路的单粒子翻转性能.

主 题 词：单粒子翻转 试验方法 抗辐射加固 DSP 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2018.10.010

馆 藏 号：203378447...