精密CMOS带隙基准及过温保护电路设计

作     者：张强 陈贵灿 田泽 王进军 李攀 ZHANG Qiang;CHENG Guican;TIAN Ze;WANG Jinjun;LI Pan

作者机构：西北大学信息学院陕西省西安市710127 西安交通大学微电子研究所陕西省西安市710049 

基　　金：2005年西安-美国应用材料创新基金(ZX05097-XA-AM-200514) 陕西省科技攻关项目(2004k05-G11) 

出 版 物：《电子工程师》 (Electronic Engineer)

年 卷 期：2007年第33卷第9期

页      码：21-24,59页

摘      要：设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V^4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。

主 题 词：带隙基准 温度补偿 软启动电路 过温保护电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4888.2007.09.007

馆 藏 号：203378617...