基于SRAM测试的MBIST电路实现方案

作     者：刘学勇 李晓江 马成炎 LIU Xue-yong;LI Xiao-jiang;MA Cheng-yan

作者机构：中国科学院微电子所杭州310053 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2008年第31卷第4期

页      码：1307-1309页

摘      要：现代SOC电路设计中,存储器特别是SRAM模块的面积占有很大的一部分。通常测试这些存储器采用的方法是通过EDA工具来生成MBIST电路来对SRAM进行测试。然而在没有专门EDA工具的情况下,我们必须手工写电路。本文提供了这一手工MBIST的实现方案,并给出仿真和综合结果。

主 题 词：SRAM MBIST 测试 实现 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.060

馆 藏 号：203378885...