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相变存储器:能实现全新存储器使用模型的新型存储器

相变存储器:能实现全新存储器使用模型的新型存储器

作     者:Sean Eilert 

作者机构:恒忆首席技术官办公室 

出 版 物:《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期:2010年第17卷第1期

页      码:50-50,52页

摘      要:从下面的几个重要特性看,相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:

主 题 词:相变存储器 使用模型 电子系统 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D O I:10.3969/j.issn.1023-7364.2010.01.019

馆 藏 号:203379620...

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