InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤(英文)

作     者：董雷 张瑞康 江山 赵圣之 刘水华 DONG Lei;ZHANG Rui-kang;JIANG Shan;ZHAO Sheng-zhi;LIU Shui-hua

作者机构：山东大学信息科学与工程学院济南250100 武汉光迅科技公司武汉430074 

基　　金：国家重点基础研究计划(973计划)资助项目(2010CB327603) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2010年第16卷第3期

页      码：243-248页

摘      要：本文详细研究了采用Cl_2/H_2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究。详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl_2/H_2刻蚀气体组分对损伤程度的影响。基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm。

主 题 词：等离子体刻蚀 干法刻蚀损伤 感应耦合等离子体 光荧光 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009

馆 藏 号：203379745...