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一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计

一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计

作     者:黄松 姜洪雨 刘智 耿增建 HUANG Song;JIANG Hong-yu;LIU Zhi;GENG Zeng-jian

作者机构:西安微电子技术研究所陕西西安710119 

出 版 物:《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期:2018年第35卷第10期

页      码:89-92,98页

摘      要:提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6μm BiCMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,当负载电流为100mA时,100Hz电源纹波抑制比为75dB;10kHz时电源纹波抑制比为72dB.输出噪声电压(100Hz^100KHz)为15μVRMS.

主 题 词:低压差线性稳压器 噪声 电源纹波抑制比 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2018.10.018

馆 藏 号:203380060...

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