近红外光谱仪InGaAs前端电路系统研究

作     者：叶坤涛 李欣 殷超 夏雪婷 刘继锋 YE Kun-tao;LI Xin;YIN Chao;XIA Xue-ting;LIU Ji-feng

作者机构：江西理工大学理学院医学信息工程研究所江西赣州341000 

基　　金：国家自然科学基金项目(61368004) 江苏惠通集团横向课题 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2018年第9期

页      码：18-23页

摘      要：针对基于MEMS微镜的长波近红外光谱仪的具体参数要求,分析了InGaAs探测器的前端光电转换放大系统的设计原理和方法,设计并实现了该系统。系统主要由前置放大电路、Sallen-Key电路以及温控电路组成。仿真与实验结果表明:系统将光信号成功放大,且增益与带宽满足光谱仪要求,其中温控精度±0. 1℃,降低了暗电流的影响,提高了探测效率。研究工作涉及的原理与方法,对InGaAs探测器高灵敏、低噪声、低成本的光电转换与放大的实现具有指导与借鉴作用。

主 题 词：InGaAs 前置放大电路 Sallen-Key 温度控制 暗电流 光谱仪 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-1841.2018.09.006

馆 藏 号：203380140...