基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDlite^(TM)工艺的微型CMOS五电极垂直型霍尔器件的研究

作     者：汤伟 吕飞 张胜 潘红兵 王敦辉 TANG Wei;Lü Fei;ZHANG Sheng;PAN Hongbing;WANG Dunhui

作者机构：南京大学物理学院南京210093 南京大学电子科学与工程学院南京210023 

基　　金：国家自然基金面上项目(61376075) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2018年第41卷第5期

页      码：1087-1092,1096页

摘      要：为了解决五电极垂直型霍尔器件(5CVHD)电流灵敏度较低以及器件流片迭代周期较长、成本较高的问题,基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工艺在有限元分析软件COMSOL中进行器件结构设计和仿真,研究器件结构和工艺参数对5CVHD性能的影响,并且选取代表性参数进行流片与测试。通过仿真和流片实测发现,减小电极长度(w)和探测电极与中间偏置电极距离(d2),增加器件长度(l)以及添加一层P型覆盖层有助于提高5CVHD的性能,当有源区深度为7μm时,2.5μm厚度的P型覆盖层能够改善5CVHD的性能。

主 题 词：霍尔传感器 5CVHD COMSOL 电流灵敏度 器件结构 工艺参数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.001

馆 藏 号：203380141...