射频前端CMOS有源混频器的设计

作     者：李桂琴 宋树祥 岑明灿 刘国伦 张泽伟 LI Guiqin;SONG Shuxiang;CEN Mingcan;LIU Guolun;ZHANG Zewei

作者机构：广西师范大学电子工程学院广西桂林541004 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61361011) 广西自然科学基金项目(2017GXNSFAA198363) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2018年第37卷第9期

页      码：57-62页

摘      要：混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1. 2 V的工作电压下,Cadence软件仿真验证表明,射频频率为2. 4 GHz,本振频率为2. 39 GHz,中频频率为10 MHz时,所设计的混频器的转换增益为28. 4 d B,噪声系数为8 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为10 d Bm,功耗为6. 86 mW,混频器的整体性能指标均得到了提高,满足射频前端的应用需求。

主 题 词：混频器 跨导系数修正技术 吉尔伯特 电流注入 转换增益 线性度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.09.012

馆 藏 号：203380221...