硅压阻输出微传感器的1/f噪声

作     者：于晓梅 江兴流 J.Thaysen O.Hansen A.Boisen 

作者机构：北京航空航天大学物理系北京100083 丹麦技术大学微电子中心 

基　　金：国家留学基金管理委员会资助项目~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2001年第22卷第9期

页      码：1182-1187页

摘      要：从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .相比 95 0℃、10 m in退火条件 ,10 5 0℃、30 m in的高温长时间退火的器件 ,其 1/ f 噪声降低约 6 5 % .

主 题 词：l/f噪声 微传感器 硅压阻输出 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2001.09.019

馆 藏 号：203381626...