意法半导体(ST)的新650V超结MOSFET提升能效和安全系数

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2014年第22卷第23期

页      码：83-83页

摘      要：意法半导体（STMicroelectronics,简称ST）的最新超结（super-junction）功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。 MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术,取得了比上一代产品更低的导通电阻（RDS（ON））,以及更低的栅电荷量（QGD）和输入/输出电容（Ciss/Coss）。

主 题 词：意法半导体 ST 输出电容 导通电阻 逆变器 热耗散 照明系统 junction 系列产品 功率密度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203381931...