基于STM32的程控直流电子负载设计

作     者：莫熙 周伟 窦晓波 黄冬冬 曹翔 孙旻 赵波 MO Xi;ZHOU Wei;DOU Xiao-bo;HUANG Dong-dong;CAO Xiang;SUN Min;ZHAO Bo

作者机构：东南大学电气工程学院南京210096 同济大学电子与信息工程学院上海201804 江西省电力科学研究院南昌330096 浙江省电力试验研究院杭州201804 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA052002) 国家自然科学基金资助项目(51307023) 江苏省基础研究计划项目(BK20130624) 2012年度中欧中小企业节能减排科研合作项目 国家电网公司项目(52110113091H) 分布式规模化接入配网就地消纳关键技术研究项目(52110113091H) 省级电网运行控制协调优化技术研究与示范 

出 版 物：《电测与仪表》 (Electrical Measurement & Instrumentation)

年 卷 期：2014年第51卷第18期

页      码：85-91页

摘      要：从程控直流电子负载的整体设计方案入手,采用STM32F103VCT6作为中央控制器,运用多通道AD技术对多路并联的MOSFET上的电压及各支路电流进行实时监测,控制工作在线性状态的MOSFET上的电流,以实现电子负载的恒流、恒压、恒功率和恒电阻4个功能。详细研究了MOSFET寄生电容引起的自激振荡及消除方法以及PI调节器、滤波器的设计,提出了一种提高多路MOSFET并联的电子负载的稳定性的方法。针对所提出的电子负载设计方案制作了实验样机,并对其进行了测试、分析和再优化。仿真和实验结果证明,所设计的电子负载具有较高的稳定性,有效抑制自激振荡,最大耐流30A,耐压90V,最大功率150W。

主 题 词：电子负载 STM32 PI调节器 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-1390.2014.18.018

馆 藏 号：203381994...