绝缘层上Si/应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结p-MOSFET电学特性二维数值分析

作     者：杨洲 王茺 于杰 胡伟达 杨宇 YANG Zhou;WANG Chong;YU Jie;HU Wei-Da;YANG Yu

作者机构：云南大学光电信息材料研究所云南昆明650091 中国移动通信集团设计院有限公司重庆分公司重庆401147 南京大学电子科学与工程学院固体微结构国家重点实验室江苏南京210093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 

基　　金：国家自然科学基金(10964016) 红外物理国家重点实验室开放课题~~ 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2015年第34卷第2期

页      码：172-176页

摘      要：对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象.

主 题 词：应变Si1-xGex沟道 p-MOSFET 阈值电压 扭结 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0702[理学-物理学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.009

馆 藏 号：203382060...