基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究

作     者：李理 张勇 赵伟 钟伟 刘双 卢秋全 徐锐敏 LI Li;ZHANG Yong;ZHAO Wei;ZHONG Wei;LIU Shuang;LU Qiu-quan;XU Rui-min

作者机构：电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室成都611731 

基　　金：国家高技术研究发展计划(ZYGX2011X002) 中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2011J018) 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2015年第44卷第3期

页      码：369-374页

摘      要：基于变容二极管设计了215 GHz三倍频器。为了简化结构和提高功率容量，该倍频器采用同向并联二极管对结构实现非平衡式三倍频。由于在太赫兹频段二极管的封装会影响到器件的场分布，将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计仿真存在一定缺陷。故建立了精确的二极管三维电磁模型，在非线性区域合理的设置了波端口，采用改进型场路结合仿真的方式对倍频器进行了设计。测试结果表明，该倍频器在207～226 GHz输出频率范围内，输出功率大于2 mW，最大输出功率为5.4 mW，最小变频损耗为13.1 dB。

主 题 词：谐波平衡法 非平衡式倍频 太赫兹 三倍频器 变容二极管 

学科分类：080805[080805] 080904[080904] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.009

馆 藏 号：203382086...