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非标条件下IGBT器件应用可靠性研究

非标条件下IGBT器件应用可靠性研究

作     者:刘文业 李彦涌 杨进峰 王洪峰 王丽萍 LIU Wenye;LI Yanyong;YANG Jinfeng;WANG Hongfeng;WANG Liping

作者机构:中车株洲所电气技术与材料工程研究院湖南株洲412001 

基  金:国家自然科学基金(51490682) 

出 版 物:《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期:2016年第2期

页      码:1-4,20页

摘      要:对于中间直流电压水平为2 k V的变频器应用,3.3 k V与4.5 k V电压等级功率IGBT器件均可满足工程实际应用需求。但3.3 k V规格IGBT器件中间直流电压正常工作范围为1 500-1 800 V,中间电压的提升对其工作可靠性的影响情况有待进一步评估。文章基于同一主电路、工况及应用要求,从器件失效率及使用寿命角度出发,对两类器件的应用可靠性进行比较研究,分析结论可为系统设计中的器件选型提供参考,所用方法具有较好的工程应用价值。

主 题 词:IGBT 失效率 失效模型 曲线拟合 寿命 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.02.001

馆 藏 号:203382434...

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