p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计（英文）

作     者：杨红姣 金湘亮 YANG Hong-Jiao;JIN Xiang-Liang

作者机构：湘潭大学物理与光电工程学院湖南湘潭411105 湖南省微光电与系统集成实验室湖南湘潭411105 

基　　金：Supported by State Key Program of National Natural Science of China(61233010) National Natural Science Foundation of China(61774129,61704145) Hunan Provincial Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars(2015JJ1014) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2018年第37卷第5期

页      码：527-532页

摘      要：为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0. 18μm CMOS图像传感器(CIS)工艺对p-well/DNW(deep n-well) SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造了不同保护环尺寸的SPAD器件.测试结果表明,保护环尺寸减小到0. 4μm仍然能有效防止器件发生过早边缘击穿(PEB),且保护环尺寸对p-well/DNW SPAD器件的暗计数率(DCR)和光子探测概率(PDP)影响较小.直径为20μm的SPAD器件,温度为25℃时暗计数率为638 Hz,且波长为530 nm时峰值光子探测概率为16%,具有低的暗计数率特性和宽的光谱响应特性.

主 题 词：单光子雪崩二极管(SPAD) 保护环 边缘击穿(PEB) 暗计数率(DCR) 光子探测概率(PDP) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2018.05.004

馆 藏 号：203384513...