高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性（英文）

作     者：林宗澤 王科 王利 平山秀樹 LIN Tsung-Tse;WANG Ke;WANG Li;HIRAYAMA Hideki

作者机构：日本国立研究開発法人理化学研究所光量子工程研究领域太赫兹量子器件研究室 

基　　金：Japan Society for the Promotion of Science  JSPS  (17K14113  18K04296) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2018年第37卷第5期

页      码：513-517,522页

摘      要：半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2. 4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析.

主 题 词：太赫兹 量子级联激光器 砷化镓 

学科分类：0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2018.05.001

馆 藏 号：203384771...