半导体桥芯片静电加固的研究

作     者：李静 张文超 秦志春 叶家海 田桂蓉 徐振相 LI Jing;ZHANG Wen-chao;QIN Zhi-chun;YE Jia-hai;TIAN Gui-rong;XU Zhen-xiang

作者机构：南京理工大学化工学院江苏南京210094 

基　　金：预研基金资助(9140A05070113BQ02070) 

出 版 物：《火工品》 (Initiators & Pyrotechnics)

年 卷 期：2015年第1期

页      码：14-17页

摘      要：针对桥区形状为尖角形的半导体桥在尖角处电流密度过于集中、易发生静电损伤的问题,提出将半导体桥的尖角部分设计为圆弧的形状,达到提高半导体桥抗静电能力的目的。静电实验发现圆弧型半导体桥在10000pF电容、25kV电压并且串联5000Ω电阻的静电冲击条件下完好无损。33μF电容、19V电压放电模式下,静电冲击前后圆弧型半导体桥的发火时间基本没变,而尖角型半导体桥的发火时间发生了较长的延迟,证明圆弧型半导体桥在保证发火的前提下抗静电能力得到增强。

主 题 词：半导体桥 静电加固 点火 

学科分类：08[工学] 082603[082603] 0826[工学-生物医学工程类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-1480.2015.01.004

馆 藏 号：203386971...