多热源SiC合成炉温度场分布规律及影响因素研究

作     者：王爱民 白妮 王晓刚 WANG Ai-min;BAI Ni;Wang Xiao-gang

作者机构：榆林学院化学与化学工程学院陕西榆林719000 西安科技大学材料科学与工程系陕西西安710054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50174046) 宁夏自治区科技攻关项目 

出 版 物：《榆林学院学报》 (Journal of Yulin University)

年 卷 期：2008年第18卷第2期

页      码：57-60页

摘      要：利用自行设计的多热源碳化硅合成炉,研究非封闭及封闭合成炉炉表及其上方各点的温度场分布规律。结果表明:表面负荷为13W/cm2,非封闭合成SiC,炉表最高温度约为600℃;封闭合成SiC,炉表最高温度为1061℃,距离炉表50cm高的集气罩最高温度为440℃;使用高挥发份或高固定碳含量的碳质原料、或者通过"引射"装置可以降低炉内各点及集气罩的温度。

主 题 词：碳化硅 CO 温度 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-3871.2008.02.020

馆 藏 号：203388772...