基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计

作     者：王翰祥 蒋栋 WANG Han-xiang;JIANG Dong

作者机构：华中科技大学电气与电子工程学院湖北武汉430074 

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFB01006024) 

出 版 物：《电工电能新技术》 (Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy)

年 卷 期：2018年第37卷第10期

页      码：51-57页

摘      要：SiC MOSFET功率模块能够帮助提高变换器高温、高功率密度运行的可行性。同时,对于高温下可靠运行的驱动电路的需求也随之增加。由于Si技术的驱动芯片和隔离芯片的耐温最大不超过125℃,本研究提出了一种使用脉冲变压器配合基于Si材料的分立器件实现的隔离驱动电路,能够提供与商业化驱动电路同等的驱动电流与上升下降时间。所提出的分立器件驱动电路经Saber仿真验证,并于SiC功率模块上进行双脉冲实验评估。仿真和实验结果证明了所提出的驱动结构对SiC MOSFET驱动的效果。

主 题 词：门极驱动电路 脉冲变压器 分立器件 驱动能力 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.12067/ATEEE1805071

馆 藏 号：203389627...