一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源

作     者：侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 刘云超 陈杰 HOU Dequan;ZHOU Li;CHEN Min;XIAO Jingbo;LIU Yunchao;CHEN Jie

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61434004) 国家重大仪器设备专项资助项目(2013YQ31079903) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2018年第48卷第5期

页      码：574-578页

摘      要：设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃～80℃温度范围内的温度系数为6.096×10^(-5)/℃。

主 题 词：基准电压源 亚阈值区 低功耗 模拟集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.170542

馆 藏 号：203389919...