基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

作     者：康耀鹏 汪鹏君 张会红 李刚 KANG Yao-peng;WANG Peng-jun;ZHANG Hui-hong;LI Gang

作者机构：宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 

基　　金：浙江省公益性技术应用研究计划项目(2016C31078) 国家自然科学基金(61474068 61234002) 

出 版 物：《华东理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of East China University of Science and Technology)

年 卷 期：2018年第44卷第5期

页      码：724-729页

摘      要：通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与三态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83%。

主 题 词：CNFET 三值数据比较 CAM 三值逻辑 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14135/j.cnki.1006-3080.20170820001

馆 藏 号：203390295...