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超高分子量聚碳硅烷的合成及其表征

超高分子量聚碳硅烷的合成及其表征

作     者:薛金根 王应德 宋永才 秦墨林 XUE Jin-gen;WANG Ying-de;SONG Yong-cai;QIN Mo-lin

作者机构:国防科技大学航天与材料工程学院湖南长沙410073 

基  金:国家863计划资助项目(2002AA305101) 国家自然科学基金资助项目(50403010) 

出 版 物:《国防科技大学学报》 (Journal of National University of Defense Technology)

年 卷 期:2006年第28卷第6期

页      码:28-31页

摘      要:采用正交设计的方法从常压合成得到的中低分子量PCS出发进行热压合成制备超高分子量PCS;并运用红外、GPC、核磁共振等分析测试手段对其结构和性能进行了表征。研究表明:控制热压反应温度在460~470℃、预加压力1~2MPa、反应6h时得到超高分子量PCS的重均分子量在6400~8500;通过控制热压反应时间可以较好的调控超高分子PCS的分子量大小;热压合成后制得的超高分子量PCS的支化度和Si-H键含量有所降低。

主 题 词:聚碳硅烷 分子量 合成 表征 

学科分类:0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0802[工学-机械学] 0701[理学-数学类] 0702[理学-物理学类] 0812[工学-测绘类] 0801[工学-力学类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1001-2486.2006.06.006

馆 藏 号:203392453...

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