基于3D仿真的LDMOS-SCR器件优化

作     者：王鑫 梁海莲 顾晓峰 马艺珂 刘湖云 WANG Xin;LIANG Hailian;GU Xiaofeng;MA Yike;LIU Huyun

作者机构：江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61504049) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20150156) 中国博士后科学基金资助项目(2016M600361) 江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX17_1487) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2018年第48卷第5期

页      码：695-698,704页

摘      要：为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3)。在ESD应力作用下,器件开启后的3DTCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大。传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74V增至8.41V和16.20V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍。该3DTCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考。

主 题 词：静电放电 可控硅 LDMOS 维持电压 3DTCAD 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.170511

馆 藏 号：203392664...