金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析

作     者：薛佳帆 戴良 陈霖凯 吕伟锋 Xue Jiafan;Dai Liang;Chen Linkai;Lyu Weifeng

作者机构：杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金(61571171 61331006 61302009 61771076) 浙江省自然科学基金(LY18F04005) 

出 版 物：《计算机辅助设计与图形学学报》 (Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics)

年 卷 期：2018年第30卷第11期

页      码：2159-2163页

摘      要：当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.

主 题 词：纳米NMOS器件 功函数变异 模拟/射频性能 非正态统计分布 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3724/SP.J.1089.2018.17023

馆 藏 号：203393904...