一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化

作     者：王荣超 王立新 邢心润 王琳 罗家俊 WANG Rong-chao;WANG Li-xin;XING Xin-run;WANG Lin;LUO Jia-jun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2018年第35卷第11期

页      码：67-72页

摘      要：基于电荷补偿原理的超结VDMOS(Super-Junction VDMOS,SJVDMOS)器件,比传统的VDMOS具有更低的比导通电阻,更高的击穿电压.文中详细介绍了超结VDMOS元胞设计步骤,之后借助TCAD仿真对超结VDMOS的击穿电压和比导通电阻进行了深入优化,探究了电荷不平衡、漂移区厚度、衬底反向扩散以及表面结构等对击穿电压和比导通电阻的影响.对元胞结构的优化使得超结VDMOS由最初的击穿电压为587V,比导通电阻为7.27mΩ·cm2,优化到最终的击穿电压为662.5V,比导通电阻为6.85mΩ·cm2,性能得到明显改善.

主 题 词：超结VDMOS 比导通电阻 击穿电压 结构优化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2018.11.014

馆 藏 号：203394210...