高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路

作     者：季轻舟 耿增建 JI Qing-zhou;GENG Zeng-jian

作者机构：西安微电子技术研究所西安710054 

出 版 物：《科学技术与工程》 (Science Technology and Engineering)

年 卷 期：2008年第8卷第21期

页      码：5812-5816页

摘      要：设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。

主 题 词：带隙基准 快速启动 过温保护 电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-1815.2008.21.015

馆 藏 号：203394362...