汽车功率MOSFET功耗与PCB热阻计算

作     者：曹泽中 

作者机构：天津工业大学电气工程与自动化学院天津300387 

出 版 物：《机械设计》 (Journal of Machine Design)

年 卷 期：2018年第35卷第S1期

页      码：40-43页

摘      要：随着汽车技术的发展,低电压、大电流的MOSFET应用逐步增多。电机、LED大灯控制器等设备中功率开关器件能耗尤为突出,随之产生的热量使功率器件晶体发热、结温升高,热设计已经成为汽车电子设计比较重要的一部分。本文设计了汽车功率MOSFET功耗与PCB热阻计算的方法,并进行了理论论分析和实验验证,可以为国内汽车部件自主设计厂商提供数据的支持和方法的借鉴。

主 题 词：MOSFET 功耗 热阻 散耗功率 

学科分类：08[工学] 082304[082304] 080204[080204] 0802[工学-机械学] 0823[工学-农业工程类] 

D　O　I：10.13841/j.cnki.jxsj.2018.s1.010

馆 藏 号：203394623...