单晶硅片化学机械抛光材料去除特性

作     者：杜家熙 苏建修 万秀颖 宁欣 DU Jia-xi;SU Jian-xiu;WAN Xiu-ying;NING Xin

作者机构：河南科技学院机电学院新乡453003 

基　　金：国家自然科学基金重大资助项目(No.50390061) 河南科技学院高学历人才启动基金资助项目 

出 版 物：《北京科技大学学报》 (Journal of University of Science and Technology Beijing)

年 卷 期：2009年第31卷第5期

页      码：608-611,617页

摘      要：根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率.

主 题 词：硅片 化学机械抛光 材料去除机理 材料去除率 磨损行为 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-053X.2009.05.015

馆 藏 号：203394732...