高精度、快速瞬态响应LDO电路设计

作     者：刘智 姜洪雨 梁希 葛梅 LIU Zhi;JIANG Hongyu;LIANG Xi;GE Mei

作者机构：西安微电子技术研究所西安710065 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61172169) 

出 版 物：《空间电子技术》 (Space Electronic Technology)

年 卷 期：2018年第15卷第5期

页      码：42-45页

摘      要：文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路。该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性。这里采用0. 6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造。测试结果表明,输出误差小于1%,瞬态响应特性与国外产品相当。

主 题 词：LDO 带隙基准 高阶曲率补偿 快速瞬态响应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0825[工学-环境科学与工程类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-7135.2018.05.006

馆 藏 号：203395281...